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SD11906/SD11907/SD11956和SD11957 1200V碳化硅SiC半橋功率模塊

發(fā)布時(shí)間：2024-02-20 11:46:51 瀏覽：1905

　　Solitron Devices 推出的 SD11906、SD11907、SD11956 和 SD11957 1200V 碳化硅 (SiC) 半橋功率模塊，以最大限度地發(fā)揮 SiC 的優(yōu)勢(shì)，具有獨(dú)特的穩(wěn)健、簡(jiǎn)單且具有成本效益的模塊格式。37mm x 25mm x 9mm 的外形只是競(jìng)爭(zhēng)模塊尺寸和重量的一小部分。這種集成格式可最大限度地提高功率密度，同時(shí)通過(guò)引腳配置將環(huán)路電感降至最低，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的電源總線。

SD11906/SD11907/SD11956和SD11957 1200V 碳化硅SiC半橋功率模塊

　　SD11906/07/56/57 是半橋配置，具有兩個(gè) 1200V、低電阻DS(開(kāi))13mΩ SiC MOSFET。SD11906和SD11956具有續(xù)流 1200V SiC 肖特基二極管，與模塊內(nèi)部的 MOSFET 并聯(lián)。引腳配置將電源總線與柵極和源控制分開(kāi)，以簡(jiǎn)化電路板布局。

　　該系列專(zhuān)為要求苛刻的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，例如基于航空電子設(shè)備的機(jī)電執(zhí)行器和功率轉(zhuǎn)換器。工作溫度為 -55°C 至 175°C，結(jié)構(gòu)包括銅基板和氮化鋁絕緣體，確保 TCE 匹配和高熱傳遞。隔離式集成溫度傳感可在SD11906和SD11907上提供高水平的溫度保護(hù)。

　　與同類(lèi)最佳的硅MOSFET和IGBT相比，碳化硅具有出色的開(kāi)關(guān)性能，且隨溫度的變化最小。由于能量損失和反向充電顯著降低，效率水平比硅更高，因此在打開(kāi)和關(guān)閉階段需要的開(kāi)關(guān)功率更高，所需的能量更少。結(jié)合高開(kāi)關(guān)頻率，這意味著磁性元件更小，大大減輕了系統(tǒng)重量和尺寸。

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