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Linear Systems

Linear Systems是小信號分立半導(dǎo)體的設(shè)計商和制造商。公司成立于1987年，產(chǎn)品線包括：超低噪聲 N 溝道和 P 溝道雙通道和單通道 JFET、高速橫向 DMOS 開關(guān)、雙極晶體管、BIFET 放大器、電流調(diào)節(jié)二極管、低漏電流二極管、MOSFET、PhotoFETS 和壓控電阻器。主要市場包括：音頻;雜交種;工業(yè)控制;儀表;醫(yī)療電子;軍事;空間;和測試與測量。

相關(guān)產(chǎn)品

2N/PN/SST4117系列單N溝道JFET放大器

柵源或柵漏電壓:-40V

馬柵電流:50

器件總耗散:300mW

存儲溫度范圍:-55℃~ +150℃

導(dǎo)致溫度:300oC

訂貨周期3-4周

LS846單通道低噪聲N溝道JFET放大器

儲存溫度:-55 ~ +150℃

連續(xù)功率:300mW³

柵極正向電流:I_G(F) = 10mA

柵極對源:V_GSO = 60V

柵極到漏極:V_GDO = 60V

訂貨周期3-4周

LS190單N溝道JFET放大器

HIGH BREAKDOWN VOLTAGE:BV_GSS=40V max

HIGH GAIN:G_fs=22mS (typ)

HIGH INPUT IMPEDENCE:I_G= -500pA max

LOW CAPACITANCE:20pF (typ)

訂貨周期3-4周

LSK189單通道低噪聲N溝道JFET放大器

儲存溫度:-55 ~ +150℃

連續(xù)功率:300mW⁴

柵極正向電流:I_G(F) = 10mA

柵極對源:V_GSO = 60V

柵極到漏極:V_GDO = 60V

訂貨周期3-4周

J/SST/U308系列單通道高頻N溝道JFET放大器

OUTSTANDING HIGH FREQUENCY GAIN ：Gpg = 11.5dB

LOW HIGH FREQUENCY NOISE ：NF = 2.7dB

儲存溫度:-55 ~ 150℃

連續(xù)功率耗散(J/SST)4:350mW

連續(xù)功耗(U): 500mw

柵極電流(J/SST):10mA

柵極電流(U): 20mA

柵極到漏極:-25V

柵極到源:-25V

訂貨周期3-4周

J/SST210系列低噪聲N溝道JFET通用放大器

HIGH GAIN：g_fs=7000μmho MINIMUM (J211, J212)

HIGH INPUT IMPEDENCE：I_GSS= 100pA MAXIMUM

LOW CAPACITANCE：C_ISS= 5pF TYPICAL

Gate-Drain or Gate-Source Voltage：-25V

Gate Current：10mA

Total Device Dissipation @25°C Ambient (Derate 3.27 mW/°C)：360mW

Operating Temperature Range：-55 to +150 °C

訂貨周期3-4周

J/SST201系列單通道低噪聲N溝道JFET放大器

儲存溫度:-65 ~ +150℃

持續(xù)功率:350mw

柵極正向電流:I_G(F) = 10mA

柵極到源:V_GSS = 40V

柵極到漏極:V_GDS = 40V

訂貨周期3-4周

LSJ289低噪聲低電容單P溝道JFET

儲存溫度:-55 ~ +150℃

持續(xù)功率:300 mw⁴

柵極正向電流:I_G(F) = 10mA

柵極對源:V_GSO = 50V

柵極到漏極:V_GDO = 50V

訂貨周期3-4周

2N/LS5905低漏電單片雙N溝道JFET

儲存溫度:-55 ~ +150℃

-VGSS柵極對漏極或源極電壓:40V

-IG(f)柵極正向電流:10mA

-IG柵極反向電流:10μA

設(shè)備損耗:500mW²

訂貨周期3-4周

2N5564系列低噪聲單片雙N溝道JFET

儲存溫度:-55 ~ +150℃

連續(xù)耗電量(總):500mW

門當(dāng)前:50 ma

柵極到漏極:-40V

柵極對源:-40V

訂貨周期3-4周

SST/U440系列寬帶單片雙N溝道JFET放大器

高CMRR:CMRR≥85dB

低柵極漏電:IGSS≤1pA

儲存溫度:-55 ~ +150℃

連續(xù)耗電量(總):500mW

門當(dāng)前:50 ma

柵極到漏極:-25V

柵極到源:-25V

門對門:±50V

訂貨周期3-4周

SST/U401系列低噪聲單片雙N通道JFET放大器

LOW DRIFT: │VGS1-2/T│= 10μV/oC TYP.

LOW NOISE: en=6nV/Hz@10Hz TYP.

LOW PINCHOFF: VP=2.5V MAX

Temperatures:-55 to +150°C

訂貨周期3-4周

LS26VNS N溝道JFET壓控電阻器

儲存溫度：-55 ~ +150°C

結(jié)工作溫度：-55至+135°C

連續(xù)功耗@ Ta= +25°C： 350mW

柵極正向電流：I_G(F) = 10mA

門到源：V_GSS = -40V

柵極到漏極：V_GDS = -40V

訂貨周期3-4周

J/SST111系列低漏電N溝道JFET開關(guān)

儲存溫度:-55 ~ 150℃

結(jié)工作溫度:-55至150°C

連續(xù)耗散功率(J):360mW

SST (Continuous Power耗散):350mW

門當(dāng)前:50 mA

柵極到漏極:-35V

柵極到源:-35V

訂貨周期6-8周

2N5018系列低導(dǎo)通電阻P溝道JFET開關(guān)

儲存溫度:-55 ~ 150℃

結(jié)工作溫度:-55至150°C

連續(xù)功率:500mW

門電流:-10 mA

柵極到漏極:30V

柵極到電源:30V

訂貨周期6-8周

J/SST174系列單個P溝道JFET開關(guān)

儲存溫度:-55 ~ 150℃

結(jié)工作溫度:-55至135°C

連續(xù)功率:350mW

柵極電流:I_G = -50mA

柵極至漏極電壓:V_GDS = 30V

門源電壓:V_GSS = 30V

訂貨周期6-8周

4391DFN系列單N溝道JFET開關(guān)

儲存溫度:-55 ~ 150℃

結(jié)工作溫度:-55至150°C

連續(xù)功耗:300mW

門電流:50mA

柵極到漏極或源極:-40V

訂貨周期6-8周

2N/PN/SST4391系列單通道低噪聲N溝道JFET開關(guān)

儲存溫度(2N): -65 ~ 200℃

存儲溫度(PN/SST):-55 ~ 150°C

結(jié)工作溫度(2N): -55 ~ 200℃

結(jié)工作溫度(PN/SST):-55至150°C

連續(xù)功耗(2N)@Tc=25°C:1800mW3

連續(xù)功耗(PN/SST):350mW4

門當(dāng)前:50 ma

柵極到漏極或源極(2N/PN):-40V

訂貨周期6-8周

LS320高輸入阻抗單通道BIFET放大器

儲存溫度:-55 ~ +150℃

工作結(jié)溫:-55至+125°C

+25°C連續(xù)功耗:200mW

漏極電流:I_D = 25mA

漏極到源極:V_DSO = 20V

柵極到源:V_GSS = 20V

訂貨周期6-8周

3N165系列單芯片雙通道P溝道MOSFET

3N165:40 V

3N166:30 V

柵極電壓:±80v

漏極電流(注2):50 mA

存儲溫度:-55℃~ +150℃

工作溫度:-55℃~ +150℃

鉛溫(焊接，10秒);+300oC

單側(cè)功耗:300mw

總降額高于25oC:4.2 mW/oC

訂貨周期6-8周

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