Infineon英飛凌FF23MR12W1M1PB11BPSA1模塊
發(fā)布時(shí)間:2024-04-07 09:38:34 瀏覽:2083
Infineon英飛凌FF23MR12W1M1PB11BPSA1是一款EasyDUAL模塊,它采用了Infineon公司的CoolSiCTM技術(shù)的Trench MOSFET,并且結(jié)合了PressFIT/NTC/TIM技術(shù)。這款模塊具有一系列預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù),其中Vds(最大漏源電壓)為1200V,ID nom(標(biāo)稱電流)為50A,最大電流Imax可達(dá)100A。
在潛在應(yīng)用方面,F(xiàn)F23MR12W1M1PB11BPSA1適用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用、DC/DC轉(zhuǎn)換器、太陽(yáng)能應(yīng)用以及UPS系統(tǒng)等。在機(jī)械特征方面,該模塊內(nèi)建了NTC溫度傳感器,使用了PressFIT接觸技術(shù),具有集成的安裝法蘭以實(shí)現(xiàn)堅(jiān)固的安裝,并且預(yù)涂了熱界面材料。這些特征有助于提高模塊的可靠性、散熱性能以及安裝便利性。
此外,F(xiàn)F23MR12W1M1PB11BPSA1還具有高電流密度、低感應(yīng)設(shè)計(jì)以及低開(kāi)關(guān)損耗等電氣特性,這些都使得它在功率電子系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。
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?20世紀(jì)50年代,鍺(GE)最開(kāi)始是用作分立器件的半導(dǎo)體材料。ic集成電路的出現(xiàn)是半導(dǎo)體工業(yè)化向前邁開(kāi)的重要一步。1958年7月,德克薩斯州達(dá)拉斯的德州儀器公司杰克·基爾比生產(chǎn)制造了第一個(gè)以鍺半導(dǎo)體材料為襯底的ic集成電路。
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