Statek SWCX4V/SWCX4石英晶體
發(fā)布時間:2024-10-30 09:23:55 瀏覽:974
這些晶體專為需要抗輻射的應用而設計,SWCX4V 采用音叉式,而 SWCX4 則使用 AT 切割方式。兩者均為使用高溫電掃工藝的培養(yǎng)石英制作,與非電掃石英相比,這些晶體在受到輻射時可以更好地保持頻率和其他電氣特性,尤其是輻射劑量超過 100 krad(1 kGy) 的情況下。該產(chǎn)品通常用于高可靠性的輻射硬化應用,Statek 公司為此提供三種篩選選項,以滿足從工程設計到實際飛行任務的關鍵要求。
產(chǎn)品特點
抗輻射:耐受總輻射劑量超過 100 krad
高沖擊電阻:采用三點安裝方式
超高可靠性
客戶定制設計
軍用和航天級應用
低老化率
嚴格的無塵室生產(chǎn)工藝
美國設計、制造與測試
應用領域
軍用與航天領域
衛(wèi)星系統(tǒng)
太空探索任務
深空探測器
遙測設備
一般規(guī)格
Parameter | Values | ||
Frequency | 32.768 kHz for SWCX4V 14 MHz to 100 MHz for SWCX4 | ||
Calibration Toleranoe at 25°℃ | 450 pom zo±10 ppm | ||
Load Capacitance,CL | 9 pF for sWCX4V,or value specified 10 pF for sWCX4,or value specified | ||
Standard Operating Temperature Ranges | Commerdial: ndustrial MHitary | -10°℃ -40°℃ -55°℃ | to+70*c to+85*C to+125°℃ |
Frequency-Temperature Stabiity Options (SWCX4 only) | ±50 ppm 2o±10 ppm,over -10℃ to +70*℃ ±50 ppm 2o±20 ppm,over -40℃ to +85*℃ ±50 ppm 2o±30 ppm,over -55°℃ to +125℃ | ||
Drvo Level (max) | 0.5 μW for SWCX4V,orvalue specified 200 pW for SWCX4,or value specified | ||
Aging.First Year | ±3 ppm | ||
Vibration,surviva | 20 g,10 to 2,000 Hz,swept sine | ||
Shock,surviva | 5,000 g.0.3 ms,X sine,for sWCX4V 10.000 g,0.2 ms,X sine,for SWCX4 (higher shock available) | ||
StorageTemperature Range | -55*C to+125°℃ | ||
Max Processing Temperature | 260℃ for 20 seconds | ||
Moisture Sensitivity Level (MSL) | These parts are hermetically sealed andare not moisture sensitive. |
典型電氣參數(shù)
訂購指南
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