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  高精度晶體振蕩器OCXO與MCXO性能對(duì)比Q-Tech 2025-08-11 08:45:11

  普通晶體振蕩器頻率穩(wěn)定性為±50 ppm(-55至125℃)，功耗低至毫瓦級(jí)；OCXO通過(guò)恒溫箱將穩(wěn)定性提升三個(gè)數(shù)量級(jí)，但功耗高（幾瓦以上）、預(yù)熱慢（10+分鐘）；MCXO創(chuàng)新采用雙頻自測(cè)溫技術(shù)（如SC切割晶體的基頻與三次諧波比值），在保持OCXO級(jí)精度的同時(shí)，功耗降至100毫瓦、預(yù)熱時(shí)間縮至1分鐘內(nèi)，實(shí)現(xiàn)性能與能效的突破性平衡。

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  Infineon英飛凌FF150R12KS4雙管IGBT模塊 2024-04-23 09:41:18

  Infineon FF150R12KS4雙管IGBT模塊有高短路能力、自限制短路電流和低開關(guān)損耗等特點(diǎn)。具有良好的堅(jiān)固性，高可靠性和優(yōu)化的電氣性能。適用于多種領(lǐng)域，如醫(yī)療、伺服驅(qū)動(dòng)器和UPS系統(tǒng)等。